[테크월드뉴스=서유덕 기자] 넥스페리아는 작년에 이어 올해에도 제조 역량 강화와 연구 개발(R&D)에 대규모 투자를 단행한다고 19일 밝혔다. 이는 2020년, 넥스페리아의 모회사 윙텍 테크놀로지가 상하이 링앙에 위치할 300mm(12인치) 전력 반도체 웨이퍼 팹 건설에 120억 위안(18억 5000만 달러)을 투자한 데 이은 조치다.

이번 투자는 독일 함부르크와 영국 맨체스터의 유럽 웨이퍼 팹에서 새로운 200mm 기술을 구현하기 위함이다. 함부르크 팹에서는 와이드 밴드 갭 반도체 제조를 위한 새로운 기술에 대해 추가 투자가 이루어질 예정이다. R&D 분야에도 총 매출의 약 9% 수준에서 투자가 진행된다.

넥스페리아는 최근 말레이시아 페낭과 중국 상하이에 R&D 센터를 개설했으며, 기존 홍콩·함부르크·맨체스터 R&D 센터를 증설했다. 앞으로 중국 광둥, 말레이시아 세렘반, 필리핀 카부야오 공장에 최신 자동화 시설을 늘리고 시스템 패키지(SIP) 기능을 구현하는 등 테스트·조립 역량 강화에 투자가 이어질 예정이다.

아킴 켐프(Achim Kempe) 넥스페리아 최고 운영 책임자는 “차량 전동화, 5G 통신, 인더스트리 4.0의 증가, 질화 갈륨 기반 설계의 본격적인 채택은 2021년 이후 전력 반도체에 대한 수요 증가를 촉진할 것”이라며, “추가적인 투자를 통해 대량 생산에 필요한 기술과 제조 능력을 지속적으로 늘릴 계획”이라고 설명했다.

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